工作时，栅源之间不加电压，同增强型MOS管不同，漏源之间存在导电沟道，因此只要在漏源之间加正向电压，就会产生漏极电流。
在实际应用中，可控硅开关频率主要受到以下因素的影响
可控硅和IGBT是现代电力电子领域中常用的两种功率半导体器件。
静止式进相器是串接在电机转子回路中，通过改变转子电流与转子电压的相位关系，进而改变电机定子电流与电压的相位关系，达到提高电机自身的功率因数和效率，提高电机过载能力、降低电机定子电流、降低电机自身损耗的目的。
对瞬变电压的吸收功率(峰值)与瞬变电压脉冲宽度间的关系，手册给的只是特定脉宽下的吸收功率(峰值)，而实际线路中的脉冲宽度则变化莫测，事前要有估计，对宽脉冲应降额使用。
1、电路设计的问题；2、频率太高；3、没有做好足够的散热设计；4、MOS管的选型有误
